| Số Phần : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Nhà sản xuất / Thương hiệu : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Sự miêu tả : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| Tình trạng của RoHs : | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| Số lượng hiện có sẵn | 43346 pcs |
| Bảng dữ liệu | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Tối đa) | +10V, -20V |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | DPAK+ |
| Loạt | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Điện cực phân tán (Max) | 68W (Tc) |
| Bao bì | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vài cái tên khác | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
| Nhiệt độ hoạt động | 175°C (TJ) |
| gắn Loại | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Loại FET | P-Channel |
| FET Feature | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss) | 60V |
| miêu tả cụ thể | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
