| Số Phần : | SI4922BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Nhà sản xuất / Thương hiệu : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Sự miêu tả : | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Tình trạng của RoHs : | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| Số lượng hiện có sẵn | 39052 pcs |
| Bảng dữ liệu | SI4922BDY-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | 8-SO |
| Loạt | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS | 16 mOhm @ 5A, 10V |
| Power - Max | 3.1W |
| Bao bì | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vài cái tên khác | SI4922BDY-T1-GE3-ND SI4922BDY-T1-GE3TR |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất | 33 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Loại FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| miêu tả cụ thể | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Số phần cơ sở | SI4922 |
