Số Phần : | MUN5113DW1T1G |
---|---|
Nhà sản xuất / Thương hiệu : | ON Semiconductor |
Sự miêu tả : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Tình trạng của RoHs : | Không có chì / tuân thủ RoHS |
Số lượng hiện có sẵn | 1001518 pcs |
Bảng dữ liệu | MUN5113DW1T1G.pdf |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100mA |
Voltage - Breakdown | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic | 50V |
Loạt | - |
Tình trạng RoHS | Tape & Reel (TR) |
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Điện trở - Base (R1) (Ohms) | - |
Power - Max | 250mW |
sự phân cực | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vài cái tên khác | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f) | 47k |
gắn Loại | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất | 10 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất | MUN5113DW1T1G |
Tần số - Transition | 80 @ 5mA, 10V |
Mô tả mở rộng | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Sự miêu tả | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 500nA |
Hiện tại - Collector Cutoff (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
Hiện tại - Collector (Ic) (Max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |